2017年半導(dǎo)體制造工藝已經(jīng)進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)，Intel、三星、TSMC今年內(nèi)都推出了10nm工藝，2018年則會進(jìn)入7nm節(jié)點(diǎn)，到這里為止是各大半導(dǎo)體廠商能夠迅速量產(chǎn)的工藝極限了，再往下的5nm、3nm工藝還在研發(fā)中，是他們制勝未來的關(guān)鍵。昨天臺積電率先公布了未來的3nm工藝計(jì)劃，不再考慮出走美國，而是繼續(xù)在臺灣地區(qū)建設(shè)3nm工藝，預(yù)計(jì)整個投資計(jì)劃將高達(dá)200億美元。

　　臺積電昨天公告稱經(jīng)過評估，他們的3nm工藝將選址南科臺南園區(qū)。不過臺積電官方并沒有公布投資計(jì)劃詳情，臺灣經(jīng)濟(jì)部門預(yù)計(jì)整個3nm工藝投資案至少是5千億新臺幣的規(guī)模，而業(yè)界分析認(rèn)為3nm節(jié)點(diǎn)將大量采用EUV光刻技術(shù)，總投資額將高達(dá)200億美元，將成為臺灣科技史上投資最大的計(jì)劃。

　　至于3nm工藝問世時(shí)間，預(yù)計(jì)量產(chǎn)時(shí)間是2022年之后，因?yàn)榕_積電目前的進(jìn)度是2018年量產(chǎn)7nm工藝，增強(qiáng)版7nm工藝則是2019年問世，5nm工藝預(yù)計(jì)在2020年量產(chǎn)，之后才能輪到3nm工藝。

　　Intel前不久在北京的精尖制造日會議上也提到了在研發(fā)5nm、3nm工藝，不過官方并沒有提及具體的進(jìn)度，所以何時(shí)量產(chǎn)3nm還是個謎，但是可以確定的是Intel的10nm工藝今年底量產(chǎn)，而且也會有三代10nm工藝，未來的7nm恐怕也是如此，所以Intel的3nm工藝還會比相當(dāng)長時(shí)間，進(jìn)度應(yīng)該會比臺積電更靠后一些。